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電子級氫氟酸的檢測技術介紹
- 2020-03-09-

  電子級氫氟酸主要用于集成電路,隨著微電子行業的發展其對性能要求不斷提高,相應的檢測技術也得到很快的提升。

  1.金屬雜質檢測技術

  金屬離子雜質會影響半導體中少子的壽命表面的導電性、門氧化物的完整性和穩定性參數等。金屬離子雜質在高溫下或電場下會向半導體本體擴散或在表面擴大分布導致半導體性能下降。微電子行業對金屬離子含量的要求越來越高,從原來的10-6級發展到10-9級和10-12級,未來還會更高。例如762px(12英寸)晶圓蝕刻工藝中需要的電子級氫氟酸金屬元素質量分數穩定在10x10~12左右。相應地金屬離子的分析測試手段也不斷推陳出新,目前常用的金屬痕量元素的測試方法主要有發射光譜法、原子吸收分光光度法、火焰發射光譜法、石墨爐原子吸收光譜等離子發射光譜法(ICP).電感耦合等離子體-質譜(ICP-MS)法等其中ICP-MS法更是成為金屬雜質分析測試的重要方法。

  2.顆粒檢測技術

  顆粒主要依靠范德瓦爾斯吸引力吸附在晶圓表面影響器件光刻所需幾何圖形的形成及電學參數。隨著IC技術的不斷提高,顆粒的粒徑要求越來越小,雜質含量也要求越來越少。

  顆粒檢測技術從早期的顯微鏡法、庫爾特法、光阻擋法發展到現在的激光散射法。近幾年激光粒度測試技術得到了高速發展,具有測試速度快、分辨率高、重復性好的特點。

  隨著技術的發展,人們早已不止步于離線分析(取樣后在實驗室進行分析)進而推動了在線檢測分析的高速發展。但是在線檢測電子級氫氟酸須解決夾帶氣泡的干擾問題,凡是氣泡在檢測器內均可被作為顆粒而記錄下來,從而影響實際檢測結果的準確性。樣品中溶解的氣體、振蕩或攪拌產生的氣泡高溫樣品揮發產生的氣泡及管線密閉不嚴而引起的氣泡等是氣泡的主要來源。目前在線進行顆粒檢測采用間斷在線取樣,在加壓狀態進樣較好地解決了氣泡的干擾問題。